【今日要闻】深度解析：芯片算力基石、存储架构创新与半导体存储行业复苏趋势
学者云集、专家齐聚，探讨未来芯片的“算力”基石
主要包含BPR纳米硅通孔 (nTSV) 与背面的金属供电线路构成，该架构应用了晶圆🚁官方至晶圆 (W2W) 键合与晶圆减薄工艺;相比正面供电网络方案，实现底部晶圆平均与峰值IR压降69%与70%的降低(IMEC) ，拓展了3D IC的技术路径和潜力;Intel的Power Via技术将在20A节点应用，预计2025年量产。存储芯片新架构：DRAM 3D器件结构。高性能计算中的存储墙瓶颈是处理器与存储器发展不协调、存储器数据向处理器的搬运带宽小、搬运能耗大以及存储器发展落后于算力发展。
哈佛结构那么好？为什么冯诺依曼更流行？
改进的哈佛结构，其结构特点为： 1、使用两个独立的存🆖官方储器模块，分别存储指令和数据，每个存储模块都不允许指令和数据并存，以便实现并行处理； 2、具有一条独立的地址总线和一条独立的数据总线，利用公用地址总线访问两个存储模块（程序存储模块和数据存储模块），公用数据总线则被用来完成程序存储模块或数据存储模块与CPU之间的数据传输； 哈佛结构的微处理器通常具有较高的执行效率。其程序指令和数据指令分开组织和储存的，执行时可以预先读取下一条指令。目前使用哈佛结构的中央处理器和微控制器有很多。
存储芯片的必看基础知识点 一、存储芯片和存储模组的关系存储芯片是存储产品的核心基础部件，是具备存储功能的 集成电路 芯片，主要负责数据的实际存储和 - 雪球
二、存储模组主要芯片及成本组成 1. 存储芯片（NAND Flash / DRAM） 功能：NAND Flash用于大容量数据存储，如固态硬盘（SSD）、U盘等设备主要依靠它来存储数据；DRAM则是易失性随机存取存储器，常用于计算机主内存，为系统和应用程序提供快速的数据读写支持。成本占比：这是存储模组成本最高的部分，通常占整体成本的 70% - 85%。其中，NAND Flash 的成本占比较大，在大容量的存储模组（如大容量 SSD）中可能达到 80% 左右；DRAM 在一些。
突破性创新：新型3D异质集成存储器件助力下一代微电子发展
随着背面电源互连和通孔（vias）的兴起，芯片的上下将被金属布线层包围，形成“金属—硅—金属”三明治结构。这种设计使得芯片内的晶体管🈹与互连线的体积比例发生了显著变化。基于此，新加坡国立大学研究团队创新性地提出了单片三维集成存储阵列的新型架构。通过异质集成IGZO晶体管和MoS2忆阻器的器件-技术协同优化，成功实现了器件的微缩和存储密度的提升，同时开发了基于3D流水线计算系统的高效存储单元，推动了全新三维集成电路（3D ICs）的发展。双管齐下的创新存储架构研究团队开发了两种互。
半导体存储行业专题报告：复苏在即，模组厂商曙光再现
1.2.内存模组与闪存模组结构拆分（1）NAND Flash 模组应用于嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬 盘（大容量存储场景）和移动存储（便携式存储场景）等领域。闪存模组内部组成包括主🐍 控芯片、DRAM 颗粒和 NAND 闪存颗粒，具体来看：主控芯片，是闪存模组的核心器件，可以提供多种接口，如SATA、PCIe、NVMe等， 负责与整机CPU进行数据通信以及数据管理、坏块管理、数据纠错、寿命均衡、垃圾回 收以及数据加解密等功能。DRAM颗粒，是中高端NAND 。
相关产品 >
-
FET4418-C核心板
S5P4418核心板基于三星四核Cortex-A9 S5P4418方案设计。S5P4418核心板强大的多媒体性能，支持双屏同显异步显示。S5P4418核心板320PIN引脚将CPU资源全部引出，扩展更丰富。如需S5P4418解决方案，S5P4418多媒体解决方案，S5P4418硬件方案，可咨询400-885-3357咨询客服。 了解详情
-
FET3568-C核心板
RK3568性能强而稳 国产芯|嵌入式RK3568系列核心板，采用瑞芯微国产高性能AI处理器RK3568设计生产，RK3568兼具CPU、GPU、NPU、VPU于一身，RK3568 性能、性价比在同类产品中具有较高优势，RK3568处理器是一款定位中高端的通用型SoC， RK3568核心板主要面向工业互联网、HMI、NVR存储、车载中控、工业网关等领域。目前RK3568系列已经批量稳定出货
了解详情
换一批
